Памети - новости и приложения

ЕлектроникаСп. Инженеринг ревю - брой 6/2016 • 27.09.2016

Памети - новости и приложения
Памети - новости и приложения

Стефан Куцаров

Все по-малко са областите на човешката дейност, в които не се използват прибори с полупроводникови памети и нарастват тези, в които разширяването на възможностите и подобряването на функционалността е силно зависимо от характеристиките на паметите.

Сред многобройните фактори за това е нарастването на обемите на паметите, съчетано с намаляване на захранващото напрежение, постояннотоковата консумация и размерите на корпусите заедно с подобряване на тяхната организация, на технологиите на производство и появата на нови типове.

 

Огромният (без преувеличение) обем и разнообразие на наличните информационни източници определя отразяването в статията само на основните особености на пуснатите на пазара след 01.01.2014 г. интегрални схеми (ИС) на памети, характерни техни модели и типични масови приложения.

Множество допълнителни подробности могат да бъдат намерени чрез дадените в текста английски термини.

Статични оперативни памети
Английският термин Static Random Access Memory (SRAM) означава възможността за достъп до произволна клетка на паметите и това, че съдържанието на клетките остава “неподвижно” (не се опреснява) при съхранението му.

Двата типа са асинхронните SRAM (Asynchronous SRAM) и синхронните SRAM (Synchronous SRAM, SSRAM), като в каталозите първите обикновено се означават само като SRAM.

Асинхронни SRAM. Записът и четенето на данни се осъществява непосредствено чрез подаване на съответната команда, без да е необходим и синхронизиращ импулс (clock), както при синхронните SRAM.

Типичният обем е между 4Kb и 64Mb, думите са 8b или 16b и рядко 4b и 32b, а единственото захранващо напрежение е 1,8 V, 3,3 V или 5 V. С по-голямо приложение са паралелните SRAM заради малкото време на достъп (еднакво за четене и запис) с типични стойности 8-70 ns, като при бързите (Fast Asynchronous SRAM) е до 25 ns и по-голямо при бавните (Slow Asynchronous SRAM).

Първите се използват главно като буферни. Увеличеното време на серийните е за сметка на малкия брой изводи, намалената (средно 10-тина пъти) консумация и лесното ползване на серийни интерфейси (например SPI при паметите в редове 4 и 6 от табл. 1).

Типични приложения на тези памети са в принтери, измервателни уреди, Ethernet, POS терминали. Нараства относителният дял на паметите Low Power SRAM (LPSRAM) и Ultra-Low Power SRAM с ток при липса на обмен на данни (Standby Current) под 10 mA.

Възможността за ползването им в апаратури с батерийно захранване определя специфичния термин More Battery Life (MoBL).

Нараства популярността на паметите с код за корекция на грешки (Error Correction Code) ECC, чрез който се открива и отстранява грешка в един разред на всеки байт. Някои SRAM имат извод (ERR pin) за индикация на открита грешка.

Значителна част от SRAM запазват съдържанието си до захранващо напрежение под минималното (Data Retention Supply Voltage), чиято стойност се дава в техническата документация) - например за тази на ред 5 в табл. 1 това напрежение е 2 V.

Тази интегрална схема е и представител на SRAM с керамичен корпус, който подобрява охлаждането и разширява работния температурен обхват. Паметта на ред 3 е псевдостатична (Pseudo SRAM, 1T-SRAM), което наименование е поради реализация на клетките с един транзистор (както при DRAM – вж. следващия раздел), но чрез допълнителни схеми за управление се осигурява работа като SRAM.

Продължават да се използват многочипови SRAM (Multi-Chip Package SRAM), реализирани според класическия начин за разширяване на паметите. Пример е W82M32V-XBX на Microsemi с организация 2Mx32b и съдържаща 4 чипа 2Mx8b. Минималното време на достъп е 12ns при захранване 3,3V±10% и корпус 25,1x25,1x2,22 mm с 256 извода.

Синхронни SRAM. Непрекъснато растящите нужди от все по-бърз обмен на повече данни налага наличието на памети с подходящи параметри. За SSRAM един от тях е честотата на тактовите импулси fc (Clock Speed), означавана в каталозите и само като честота или работна честота (Operating Frequency), а скоростта на обмен е Memory Bandwidth или само Bandwidth.

За увеличаване на последната в част от SSRAM чрез едно адресиране се предава пакет от две или четири думи (вместо адрес за всяка дума) – Burst Length (BL). Специфичен параметър е броят на обръщенията (четене и запис) към паметта за 1 s (Random Transaction Rate) RTR, обикновено с мерна единица MT/s, означаваща 106 обръщения на 1 s.

Оценката на вероятността от грешки при обмена се прави с помощта на мерната единица FIT/Mb, която е броят им във всеки Mb на паметта след 109 часа работа. При прилагане на ЕСС вероятността намалява с 3 порядъка.

Например типичната стойност за SSRAM с ЕСС на Cypress е под 0,01FIT/Mb и съответно дадената на ред 1 от табл. 2 може да сгреши не повече от 1,44b за 109 часа или 1b приблизително след 700.106 часа.

Синхронните SRAM като правило са паралелни, имат обем над 1Mb (типично 2Mb-72Mb), обменят 18b, 36b и 72b числа (корпусите са с не по-малко от 100 извода) и имат второ захранващо напрежение за входовете и изходите си (обикновено двете са 2,5 V и 3,3 V и по-рядко 1,3 V, 1,8 V и 5 V).

Съществуват много модели на SSRAM (само Cypress предлага над 2300), поради което в табл. 2 са дадени най-характерните. Допълнителни сведения има в материалите на цитираните производители.

Първата група са стандартните (Standard Synchronous SRAM), които са с т. нар. единична скорост (Single Data Rate) SDR - записът и четенето се извършват само чрез предния фронт на тактовите импулси.

Една от разновидностите им са паметите с непосредствено преминаване (Flow-Through SRAM, FT SRAM) - при запис данните се въвеждат на указания заедно с тях адрес, а при четене адресът се записва във входен регистър и показва откъде те да се вземат.

Честотата им fc е до 200 MHz, а пример за такава е даден на ред 3 в табл. 2, която е и No-Wait – преминаването от запис в четене и обратно става без интервал от време.

Втората разновидност са верижните памети (Pipelined SRAM, PL SRAM) с регистри на входа и изхода, като при четене данните преминават през последния (записът е както в първата разновидност).

Те могат да имат по-голяма fc от FT, а пример е дадената на ред 4. Предлагат се и многочипови памети от тази група, каквато е WED2DL32512L на Microsemi с организация 512Kx32b и съдържа 2 чипа 521Kx16b.

Втората група са паметите с двойна скорост, което означава ползване и на задния фронт на тактовите импулси и съответно скоростта на обмен е 2fc. Към първоначалната им разновидност DDR (от Double Data Rate) бързо се прибавят нови за по-нататъшно увеличаване на скоростта.

Една от тях е DDRII+ (или DDRIIP) с пример на ред 1 в табл. 2, която има варианти DDRII+ Burst 2 за обмен чрез подаване с един адрес на пакет от две числа и DDRII+ Burst 4 съответно на 4 числа. Вариантът DDRII SIO (от Separate Input/Output) е с отделни групи за вход и изход.

Още по-бърза е третата група на SSRAM с четворна скорост (Quad Data Rate), означавани като QDR и Quad. Тя налага множество усложнявания в структурата, едни от които са диференциалните тактови импулси и наличието на такива за управлението.

Разновидността QDR-II (пример на ред 5 в табл. 2) е с отделни групи изводи за вход и изход, докато QDR-IV (ред 2) са с две еднакви групи изводи I/O, които могат да се използват независимо една от друга. В началото на 2016 г. най-бързи са били QDR-IV на Cypress с RTR=2133MT/s, описание на които има във фирмената AN84060.

FinFET SRAM. Ползването обикновено на 6 транзистора, и по-рядко на 4, 7 и 8, за реализация на една клетка на SRAM е сериозно ограничение за увеличаване на обема на паметите.

Едно от решенията е разработваната от десетина години технология FinFET за реализация на 6-транзисторни клетки, ползваща NMOS транзистори с много къс канал.

Освен намаляването на площта им и съответно увеличаване на обема на паметите при дадена площ на кристала, технологията осигурява подобряване на някои от електрическите параметри на транзисторите.

Основен недостатък е около 5 пъти по-високата цена на разработката на паметите. Засега резултатите са на ниво експериментални разработки, като през април т. г. бе съобщено за създаването на 10 nm SRAM с обем 128Mbit, чиито транзистори очевидно имат дължина на канала 10 nm и една клетка е с площ 0,04 mm2.

Динамични оперативни памети
Реализират се с еднотранзисторни клетки, което обуславя по-голям обем от SRAM, а наименованието им Dynamic Random Access Memory (DRAM) е поради непрекъснатото възстановяване (Refresh) чрез допълнителни блокове на съдържанието, тъй като запомнянето се реализира чрез зареждане на капацитети, които се саморазреждат.

Времето на саморазряд рядко е малко над 1 s (то намалява с увеличаване на температурата) и затова времето между две последователни зареждания (Refresh Window) tREFW най-често е 32 или 64 ms, а това за възстановяване на заряда Refresh Interval Time, Cycle Time) tREFI е под 10 ms.

За времето tREFW се правят определен брой стъпки (Cycles), на всяка от които се възстановява част от паметта – ползваният параметър е с измерение cycles/ms. В по-голяма част от DRAM при всяка команда за запис или четене се обменя пакет от 1 до 8 бита, чийто брой е дължината на пакета (Burst Length) BL. Необходимостта от бърз обмен налага DRAM да са паралелни и те могат да са асинхронни (Asynchronous DRAM) и синхронни (Synchronous DRAM) SDRAM.

Асинхронни DRAM. Относителният им дял е твърде малък и реално се ползват само две разновидности (FPD DRAM от Fast Page Mode и EDO DRAM от Extended Data Out) с типични скорости на обмен 35Mbps и 50Mbps и максимална 66Mbps.

Използват се при интензивна работа с графична информация (High-Bandwidth Graphics), цифрова обработка на сигнали и др. Пример за втората разновидност е IS41LV16100D на Integrated Silicon Solution с организация 1Mx16b и параметър 1024/16 ms, т.е. възстановяването се прави на 1024 стъпки всеки 16 ms – една стъпка трае 16 ms/1024 » 15,6 ms и tREFI трябва да е по-малко от тази стойност. Като FPMDRAM същата фирма произвежда IS41LV16105D с аналогична организация.

Синхронни DRAM. Един от основните им параметри е честотата fc, а често ползваното означение е PCxxx при “xxx” стойността й в MHz. Паметта може да е разделена на няколко групи (Bank), при което освен класическият има и специфичен начин за означаване на организацията, например 16Мx4x4banks (ред 5 в табл. 3) показва обем 16Mx4banks=64M на 4b думи, т. е. 64Mx4b.

Първата разновидност са единичните памети (Single Data Rate) SDR с обмен само при положителен фронт на тактовите импулси при тяхна честота до 200 MHz. Два примера са дадени на редове 1 и 5 в табл. 3, а с по-голям обем и организация 4Mx8x4banks е верижната памет IS42S81600F отново на Integrated Silicon Solution.

Начинът на действие на втората разновидност DDR SDRAM е ясна от съкращението им, а скоростта на обмен на всеки от разредите (Data Rate) DR е 2fc. Тя или fc (в зависимост от производителя) е един от основните параметри.

Не трябва да се забравя, че скоростта на обмен на данните от шината на n-разредна памет (отново с означение DR - да се внимава при ползването на каталози) е 2nfc и че освен мерната единица Mbps се използва и еквивалентната й MT/s (от MegaTransfer per second). Например при fc=533 MHz и n=9 данните се обменят с 9,594 Mbps или 9,594 MT/s.

Количеството на новите модели на тези памети постепенно намалява, те имат типични обеми 128, 256 и 512 Mb и типични стойности на fc до 200 MHz, а примери са дадените на редове 2 и 8 (тип МСР) в табл. 3, които имат второ захранващо напрежение за изводи I/O. От същата разновидност са RLDRAM с намалено време на обръщение към тях (RL e Low Latency), чието производство постепенно се ограничава.

Пример за един от новите модели е IS49NLS96400D на Integrated Silicon Solution с fc=533 MHz, организация 32Mx18b, отделни вход и изход и DR при едновременното им използване 2x18x533MHzx2 » 38,4 Gbps.

С намалена постояннотокова консумация (главно заради малкото захранващо напрежение - типично 1,8 V) и основни приложения в преносими прибори и автомобилостроенето са LPDRAM (LP от Low Power). Сред тях е MT46H128M16LF на Micron Technology с организация 32Mx16bx4banks и консумиран ток 75 mA.

Следващата разновидност е DDR2 SDRAM (ползва се и DDR-II), като “2” е заради прехвърлянето към или от изводи I/O на 2 числа при всеки фронт на тактовите импулси и съответно удвояване на скоростта на обмен в сравнение с предната разновидност.

Типичните стойности на fc са 250, 300, 333, 400, 533, 667 и 800 MHz, на обемите между 8Mb и 8Gb, числата обикновено са 4b, 8b и 16b и основното захранващо напрежение е 1,8 V. Освен в компютри и сървъри паметите се ползват в битови прибори, такива за изграждане на индустриални мрежи и автомобилостроенето.

Примери са паметите на редове 3 и 9 в табл. 3, към които може да се добавят MT47H256M4 на Micron Technology и IS43DR16640 на Integrated Silicon Solution.

Съществуват и LPDDR2DRAM, каквато е EDB8132B4PB-8D-F-R на Micron Technology с обем 4Gb, DR=800Msps и захранващи напрежения 1,8 V, 1,2 V и 1,2 V.

Паметите DDR3 SDRAM са двойно по-бързи от предните, тъй като скоростта на обмен през изводите I/O е 8 пъти по-голяма от fc, съпроводено от захранване 1,35 и 1,5 V, като някои производители означават първите с DDR3L SDRAM.

Типичните стойности на DR са 667, 800, 900, 933, 1000, 1066, 1333, 1600 и 1866 Mbps и на обемите между 1 и 32Gb (да се внимава при ползване на каталози, тъй като се дават и в GByte). Основните приложения са във всякакъв вид компютри, сървъри, прибори за комуникационни мрежи, запис и обработка на изображения, автомобилостроене (дадената на ред 6 в табл. 3).

Част от паметите са многочипови, каквато е тази на ред 10 в табл. 3 с 4 чипа. Логично има LPDDR3 (поради едно от основните им приложения се означават и като Mobile LPDDR3 SDRAM), каквато е EDFA164A1MA-GD-F-R на Micron Technology с обем 256Мx64b, едно захранващо напрежение 1,8 V и три по 1,2 V.

Накрая са DDR4 SDRAM с DR от 2133, 2400, 2666 и 3200 Mbps, типично захранване 1,2 V и увеличаване в някои случаи на обема чрез два чипа (наричани тук Ranks) в корпуса, което се вижда от ред 7 в табл. 3 (обем 64Mx8bx16x2=16Gb). Поради познати от ежедневието причини рязко нараства производството на LPDDR4, за които JEDEC е формулирал своите изисквания.

От структурата им на фиг. 1 се вижда наличието на два канала и общата скорост на обмен 12,8GBps. Обемът им е между 4 и 32Gb, максималната скорост достига 4266 Mbps и броят на изводите e 66. Пример е MT53B512M32D2 GZ-062AIT на Micron Technology.

Нарастват и приложенията на графични DRAM с подобни параметри и все по-често налагащо се означение SGRAM, сред които е MT51J256M32 отново на Micron Technology.

Енергонезависими памети
Наименованието им показва, че те запазват съдържанието си и след изключване на захранването.

EEPROM. Тези класически памети продължават да се използват масово, като основната им част са ИС с последователно записване и четене на данните (Serial EEPROM). Типичен пример за новостите са 4-те серии 24ХХ, 11ХХ, 93ХХ и 25ХХ на Microchip Technology с вграден интерфейс съответно I2C, UNI/O Bus, Microwire и SPI.

Те са с обем между 1 Kbit и 1 Mbit, брой на циклите запис/четене не по-малък от 106, време на съхранение на данните 200 години, захранващо напрежение 1,8 ё 5,5 V и разширен работен температурен обхват от -40 до +125° С (типичният е -40 ё +85° С).

За специфични приложения на някои места в автомобилите, за минни съоръжения и самолетостроенето са разновидностите им с обхват -55 ё +150° С. Високото ниво на съвременните технологии също се потвърждава от тези серии - в не повече от една ИС от 107 произведени се открива фабричен дефект.

Друг пример са сериите М24, М93 и М95 на STMicroelectronics съответно с I2C, Microwire и SPI, обем до 2Mbit, не по-малко от 4.106 цикъла (за температура 25° С, който намалява на 1,2.106 при 85 °С), време на съхранение отново 200 години и захранване 1,7 - 5,5 V.

Минимално възможният брой изводи на EEPROM е два (SI/O като вход, изход и постояннотоково захранване и маса) с наименования I/O Powered Serial EEPROM и Self-Powered Device.

Пример е AT21CS11 на производителя Atmel (от 04.04.2016 г. присъединен към Microchip Technology с наименование на продуктите Microchip Atmel) с организация 128x8b, брой на циклите 106, съхранение 100 години и захранване 2,7 ё 5,5 V. Със същите основни параметри освен захранване 1,7 – 3 - 6 V е AT21CS01.

От същия тип, но с патентовано наименование 1-Wire EEPROM е DS28E07 на Maxim Integrated със същия обем, но разделен в 4 страници при 1000 цикъла, съхранение 10 години и захранване 3 ё 5,25 V.

Характерни примери за приложение на EEPROM с два извода са за съхранение на калибровъчните данни на сензори, за идентификация (по фабричния номер) на изделия и ключове за кодиране на данни.

Ползването на вградения интерфейс изисква данните да се обменят с паметите чрез външен контролер (Bus Master), схемите на чието свързване се дават в документацията на паметта.

Видът му за I2C е на фиг. 2, която показва една специфична особеност - времеконстантата RBUSCBUS трябва да е до определена стойност, за да се осигури желаната максимална скорост на обмен за този интерфейс от 400 Kbps.

Многобройни са практическите случаи, в които част от данните (например идентификационен номер и калибровъчни параметри) се записват еднократно и не се променят в процеса на експлоатация на прибора, което прави полезно ползването на EEPROM с частична защита от запис (Partial Array Write Protect EEPROM), например в споменатите серии на Microchip тя е за 1/4 или 1/2 от обема, а в DS28E07 – за всяка страница поотделно.

Малкият брой на изводите на ИС определя и малки техни размери, но за подвижни телефони, камери, приемо-предаватели за безжични връзки, сензори и други подобни се предлагат и корпуси тип WLCSP (от Wafer-Level Chip Scale Package) - например М24C64T-FCU на STMicroelectronics е в такъв с 4 извода и габарити 0,833x0,833x0,27 mm.

За максимално бърз обмен на данните се използват, макар и значително по-рядко, EEPROM с паралелна входно-изходна шина, която увеличава броя на изводите и размера на корпуса, но времето на достъп при четене е намалено на не повече от няколко стотици ns.

От този тип е модулът WE32K32-XXX на производителя Microsemi с четири CMOS ИС (всяка с организация 32Кx8b) и 32-битова шина. Времето на съхранение е 10 години при брой на циклите 104, работен температурен обхват от -55 до +125 °С и размери 122,4x122,4x3,56 mm.

Сред съвременните приложения на EEPROM е това в прибори за радиочестотна идентификация (RFID) и за комуникации на близко разстояние (Near Field Communication, NFC) - достатъчно е да се спомене M24LR16E на STMicroelectronics ориентирана към приложения в интелигентни електроразпределителни мрежи (Smart Grid).

Енергонезависими SRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM. Този термин означава запазване на направения запис при отпадане на захранващото напрежение, а принципът за осигуряване на това чрез автоматично превключване към батерия на основното захранване продължава да се използва.

Новости са SRAM с много малка консумация и вграден блок за превключването, каквато е серията Zeroprwer RAM на STMicroelectronics с обем 64Kbit и 8-битова входно-изходна шина. До паметта на печатната платка се монтира необходимият литиев галваничен елемент (M4Z28-BR00SH).

Данните се запазват и в бързите памети, но това се постига чрез усложняване на структурата на клетките им и оскъпяване. За намаляване на този недостатък компанията Cypress Semiconductor предлага SONOS Memory Technology, известна и като Charge Trap (или Quantum Trap) Memory Technology с опростена структура на запомнящите клетки.

Чрез нея е реализирана CY14V101QS с обем 1 Mbit, 4-битова шина и вграден блок за интерфейса SPI. Възможен е обмен на 1, 2 и 4-битови числа със скорост до 54 Mbps, броят на циклите запис/четене е 105, времето на съхранение е 20 години при околна температура +85 °С (минималната е -40 °С) и се използват 2 захранващи напрежения – 1,71 ё 2 V за шината и 2,7 ё 3,6 V за ядрото на ИС.

Резистивни RAM (Resistive RAM със съкращения ReRAM и RRAM). Наименованието се дължи на структурата им - между два метални слоя (двата електрода на клетките на паметта) е поставена смес от метални окиси и евентуално чист метал (например TiN, Ti и HiO2), съпротивлението на която чрез прилагане на подходящо външно постоянно напрежение може да се направи голямо или малко, което съответства на двете логически нива.

Основното предимство е необходимостта от 50-100 пъти по-малка електрическа мощност за запис и четене, към което се прибавят малката площ на клетките (съответно малък паразитен капацитет и повишаване на бързодействието - принципна възможност за замяна на DRAM), ниска производствена цена и възможност за реализация на 3D структури. Паметите са главно на ниво експериментални модели със съобщения за готовност за производство.

Очаквани приложения на RRAM са битовата електроника, индустриални системи, медицински прибори, автомобилостроене, IoT и т. нар. носима електроника (Wearable Electronics).

Фероелектрични оперативни памети (Ferroelectric Random Access Memory, FRAM), често наричани и Self-Powered Device. Първата дума на наименованието им се дължи на структурата и действието на техните клетки – при всяка между атомите на кристалната решетка на оловото има йон от ZrО2+TiO2, който при запис лог. 0 и лог.1 отива на различно място и остава там.

Основните предимства на FRAM спрямо останалите памети със запомняне са много бързият запис (3 порядъка по-бърз от EEPROM) и броят на циклите запис/четене (между 1010 и 1014).

Според начина на обмен на данните съществуват последователни (по-голям относителен дял) с типичен обем 4Kb - 4MB и паралелни (256Kb - 16MB) FRAM, като първите често са с някой от масовите интерфейси и имат няколко допълнителни входа за улесняване на ползването им и разширяване на приложенията - например за избор на паметта (Chip Select), за прекъсване на текущата работа (HOLD) от управляващия процесор или контролер, разрешение на запис (Write Enable), негова забрана (Write Protect) и др.

Първият пример за последователна FRAM е FM25V01 на Cypress, обменяща данни чрез SPI с тактова честота до 40 MHz (при 1 MHz консумацията е 0,12 mA). Организацията е 16Kx8b, броят на циклите е 1014, времето за съхранение 151 години и захранване 2 - 3,6 V.

Подобна е FM24CL16B за работа с I2C и организация 2Kx8b. С организация 512Kx8b и QSPI (четири извода I/O) е MB85RQ4ML на Fujitsu Semiconductor (преименуваната Fujitsu Microelectronics), която осигурява скорост на четене и запис от 54 Mbps. Тя е с 1013 цикли, съхранение 10 години и захранване 1,7 – 1,95 V.

С малък корпус (3x2x0,75 mm) за тази категория памети е MB85RC64TA на същия производител за работа с I2C, организация 8Kx8b, брой на циклите 1013, съхранение 10 години и захранване 1,8 - 3,6 V, от което се консумира 170 mA при максималната скорост на обмен.

Отново с SPI (максимална честота 34 MHz), но организация 256Kx8b е MR45V200A на Lapis Semiconductor с 1012 цикъла, съхранение 210 години и захранване 2,7 – 3,6 V.

Сред типичните паралелни FRAM e FM22L16 на Cypress с организация 512Kx16b и съответно 16-битова шина за данни и 18-битова за адреси, която консумира 8 mA при запис и четене, извършвани за 110 ns.

Съхранението е 151 години при напрежения както при предната, а корпусът е с 44 извода и размери 18,3x11,9x1,9 mm.

Характерни приложения на FRAM са в комуникационни и измервателни прибори, офис оборудване, аудиосистеми и др. Специфична и разширяваща се област са FRAM в системи за радиочестотна идентификация (FRAM RFID), основно за обхватите 13,56 MHz и 860-960 MHz в транспорта, производствени предприятия, медицина и фармация.

Компанията Texas Instruments е направила първите стъпки за вграждане на FRAM в микроконтролери - серията MSP430FRxxxx, където xxxx са 4 или 5 цифри за типа и 2 или 3 букви за вида на корпуса, с обем на паметите между 4Kbit и 128Kbit. Един от примерите е MSP430FR5989RGC с FRAM 128Kbit и корпус 9x9x0,9 mm.

3D XPoint Technology. Разработва се от компаниите Intel и Micron, според които тя е най-значимото откритие в областта на паметите през последните 25 години.

Без да се дават подробности се отбелязва, че технологията позволява обмен на данни 1000 пъти по-бързо от съвременните полупроводникови дискове (SSD) и клетките й заемат 10 пъти по-малка площ в сравнение със съвременните DRAM (които при това не са енергонезависими).

Очевидно очакванията са много големи и следващите години ще покажат доколко те ще се оправдаят и действително ли ИС с тази технология ще започнат да заместват едновременно DRAM и SSD.

Новият брой 7/2018

брой 7-2018

ВСИЧКИ СТАТИИ | АРХИВ



ЕКСКЛУЗИВНО

Top