Samsung започва масово производство на първата 4-гигабайтова (GB) DRAM памет в света

ЕлектроникаТехнологични новости • 26.01.2016

Samsung започва масово производство на първата DRAM памет в света
Samsung започва масово производство на първата DRAM памет в света

Samsung Electronics започва масово производство на първия в света 4-гигабайтов (GB) DRAM модул, съобщиха от компанията. Модулът е базиран на High Bandwidth Memory (HBM2) интерфейс от второ поколение и е предназначен за високо производителни компютърни и мрежови системи, както и сървъри от висок клас. Моделът предлага висока производителност и над седем пъти по-висока скорост спрямо сегашното поколение DRAM памет с цел по-бърза работа при графичен рендеринг и паралелни изчисления.

„С масовото производство на следващото поколение HBM2 DRAM памет ние можем да допринесем за по-бързото въвеждане на следващото поколение високопроизводителни компютърни системи от глобалните IT компании. Чрез употребата на нашата 3D технология на паметта ние можем да се справим с разнообразните нужди на глобалните IT компании, докато в същото време поставяме основите на един по-бързо растящ пазар на DRAM памет“, заяви Сеуон Чун, старши вицепрезидент Memory Marketing в Samsung Electronics.


Новата DRAM памет използва най-ефективния 20-нанометров процес на компанията и ново поколение HBM чип, като също така отговаря на нуждите от висока производителност, енергийна ефективност, надеждност и компактност. Модулът е създаден с буферен чип и четири 8-гигабайтови ядра, обединени в един пакет и свързани със силициева подложка посредством TSV (Through Silicon Vias) и microbumps. Така един 8GB HBM2 чип може да побере повече от 5000 TSV дупки върху печатната платка, или 36 пъти повече спрямо 8GB TSV DDR4 модулите, което е драстично подобрение при предаването на данни спрямо традиционните модули.

Новата 4GB HBM2 памет предлага интервал от честоти, който е почти два пъти по-голям от този на HBM1 DRAM модулите – 256GBps. Модулът предлага и подобрена енергийна ефективност в сравнение с 4Gb-GDDR5 решенията, тъй като удвоява интервала от честоти на един ват, а освен това използва и хардуерна корекция на грешките (ECC) за по-голяма надеждност.

След представянето на 128GB 3D TSV DDR4RDIMM (registered dual inline memory module) модул през октомври 2015 г., новият HBM2 DRAM e последното постижение при развитието на TSV DRAM технологията. В рамките на една година Samsung планира да пусне и 8GB HBM2 DRAM модул, с помощта на който дизайнерите ще могат да работят с 95% по-голямо пространство спрямо GDDR5 DRAM, което пък представлява по-ефективно решение за компактните устройства за графична обработка.

Компанията планира постепенно да увеличи производството на HBM2 DRAM модули до края на годината, за да отговори на растящите нужди на мрежовите системи и сървъри, като смята да разшири продуктовата си линия от HBM2 DRAM решения. Така Samsung цели да запази лидерската си позиция на пазара и да увеличи водещия си пазарен дял при производството на първокласни решения за памет.



Източник: Samsung Electronics

Новият брой 2/2018

брой 2-2018

ВСИЧКИ СТАТИИ | АРХИВ

ЕКСКЛУЗИВНО

Top