Microchip разширява портфолиото от мощни RF компоненти, базирани на галиев нитрид

ЕлектроникаНакраткоСп. Инженеринг ревю - брой 9/2021 • 06.01.2022

Microchip разширява портфолиото от мощни RF компоненти, базирани на галиев нитрид

Microchip разширява значително своето портфолио от силови радиочестотни (RF) компоненти, базирани на галиев нитрид (GaN), с нови монолитни микровълнови интегрални схеми (MMIC) и дискретни транзистори, покриващи честоти до 20 GHz. Приборите съчетават висок коефициент на полезно действие (Power Added Efficiency – PAE) и отлични линейни характеристики, оптимизирайки значително приложения, вариращи от 5G до системи за радиоелектронна борба, сателитни комуникации, търговски и отбранителни радарни системи и тестово оборудване, посочват от компанията.

Както всички GaN RF силови продукти на Microchip, новите прибори са произведени по технологията “GaN върху SiC (силициев карбид)”, която осигурява висока енергийна плътност и ефективност, както и работа при високо напрежение и дълготрайност от над 1 млн. часа при температура на прехода 255°C.
Те включват GaN MMIC, покриващи от 2 до 18 GHz, от 12 до 20 GHz и от 12 до 20 GHz с RF изходна мощност в идеален линеен режим (P3dB) до 20 W и ефективност до 25%, както и некорпусирани (bare die) и корпусирани GaN MMIC усилватели за S- и X-ленти с до 60% PAE, и HEMT транзистори, покриващи до 14 GHz с P3dB RF изходна мощност до 100 W и максимална ефективност 70%.



ЕКСКЛУЗИВНО

Top