...

НАМЕРЕНИ РЕЗУЛТАТИ ЗА: SiC транзистори

В РЕДАКЦИОННИ МАТЕРИАЛИ: 13

В РЕКЛАМНИ МАТЕРИАЛИ: 2

В СПРАВОЧНА ИНФОРМАЦИЯ: 0

ВЪВ ВИДЕО: 0



В РЕДАКЦИОННИ МАТЕРИАЛИ: 13

Сортирай резултатите по: дата | точност



... размерите на устройствата вече се произвеждат транзистори, в които той е вграден (SiC MOSFET+SiC-SBD), пример за какъвто е ... на ключ 1200 V/100 A/13 mW. Биполярните SiC транзистори (SiC Junction Transistor) се използват за работа като мощни ключове ... още

https://engineering-review.bg

Мощни прибори, базирани на SiC
... (SiC Schottky Barrier Diode, SiC SBD, SiC Juction Barrier Diode, SiC JBD) и сравнително малко са IGBT (SiC IGBT). Производителят UnitedSiC предлага полеви транзистори (SiC ... още

https://engineering-review.bg

Мощни полупроводникови прибори от GaN и SiC
... около 10 пъти по-малка топлопроводност от SiC, което определя приложението му в транзистори с не особено голяма мощност. Следва ... приложения на SiC диодите е в добре известното свързване между дрейна и сорса на мощните NMOS транзистори в инвертори ... още

https://engineering-review.bg

Съвременни мощни транзистори
... траназистори (Power MOS, Power MOSFET), следвани от биполярните транзистори с изолиран гейт (Insulated Gate Bipolar Transistor) IGBT ... ред на табл. 4. Мощни MOS транзистори върху силициев карбид (SiC Power MOSFET) Максималната теоретична температура на ... още

https://engineering-review.bg

Новости в елементната база за електромобили и зарядни станции
... -55÷+150°С. Мощни MOS транзистори. Предлагат се прибори от Si и SiC, като основни предимства на втория тип ... нисковолтовото LVSt има галванично разделяне, а техните дискретни транзистори се управляват от микроконтролера Contr чрез съответните драйвери. ... още

https://engineering-review.bg

Елементна база за електрически и хибридни автомобили
... производители дори предлагат подходящи за реализацията й мощни NMOS транзистори (STW62N65M5 на STMicroelectronics за 650V/46А). Напрежението от ... 34S от Mitsubishi Electric, представляващ Inv с диоди от SiC успоредно на неговите IGBT. Той е 1700 V/ ... още

https://engineering-review.bg

Интегрални гейт драйвери
... напоследък все повече на SiC, GaN и GaAs FET, като основен вид мощни транзистори в съвременната електроника наложи ... Независимо от много голямото входно съпротивление на управляваните транзистори той е необходим за бързо зареждане на капацитета ... още

https://engineering-review.bg

Нови мощни полупроводникови прибори
... . 1 са дадени основните параметри на SiC диоди и диодни мостове. Транзистори от SiC Те са в начален стадий на своето ... GHz-овия обхват. Биполярните транзистори са и от двете разновидности и се реализират с 4H-SiC. Лабораторните модели имат напрежение ... още

https://engineering-review.bg





НАМЕРЕНИ РЕЗУЛТАТИ ЗА SiC транзистори В РЕКЛАМНИ МАТЕРИАЛИ: 2


Microchip Technology
... на полупроводникови
прибори от силициев карбид (SiC). Нашите потребителски ориентирани референтни схемни
решения ... изберат най-
удачната комбинация от SiC Шотки диоди (SBD), SiC MOSFET транзистори и dsPIC33 цифрови
сигнални ... още

energy-review.bg

Rohm Semiconductor
...

Дискретни компоненти

Транзистори

Диоди

Мощни SiC прибори

Оптоелектроника

още

energy-review.bg



НАМЕРЕНИ РЕЗУЛТАТИ ЗА SiC транзистори ВЪВ ВИДЕО: 0



Няма резултати от Вашето търсене!

Моля опитайте отново.



НАМЕРЕНИ РЕЗУЛТАТИ ЗА SiC транзистори В СПРАВОЧНА ИНФОРМАЦИЯ: 0



Няма резултати от Вашето търсене!

Моля опитайте отново.







ВЪВ ФОКУС
Индустриални отрезни ленти

Индустриални отрезни ленти

Специализираната статия разглежда всички необходими съображения, за да бъдат избрани подходящи отрезни ленти, да се поддържат в добро състояние и да се спазват принципите на манипулация, които допринасят за дългия ... още
Опаковки за тежки товари

Опаковки за тежки товари

Критериите за екологичност на произвежданите опаковки за тежки товари, видовете транспортна и обезопасяваща опаковка и различните им приложения са важни съображения, които всеки производител или доставчик трябва да вземе предвид ... още

Top