ROHM започна производство на силови модули, базирани изцяло на силициев карбид

ПОДОБНИ СТАТИИ

Minkels бе отличена с награда от Frost & Sulliva

Cree придобива производителя на SiC компоненти APEI

Microchip представи нов контролер за проекционно-капацитивни сензорни екрани

Noark разширява дейността си в Европа с технологичен център

B2N бе домакин на изложба “Вариации на 3D принтиране”

ROHM започна масово производство на 1200V/100A силови модули, базирани изцяло на елементи от силициев карбид (SiC), съобщиха от компанията. Вградените SiC инвертори и конвертори за преобразуване осигуряват редица предимства над обикновените базирани на силиций IGBT модули: редуциране на загубите при превключване с 85%; приблизително 50% намаление на звука в сравнение с конвенционалните Si IGBT модули, клас 400A; по-малко нагряване благодарение на по-ниските загуби на енергия, както и по-малки размери и по-проста структура на охлаждащите инсталации и съответно по-малки размери като цяло.
Новите модули могат да извършат крачка напред и по отношение на проблемите с околната среда, включително парниковите емисии и намалените природни ресурси.
Очаква се SiC технологията да има значителен ефект в силовата електроника - например при промишленото оборудване, соларните клетки, електромобилите и влаковете. Изчислено е, че ако всички конвенционални силициеви полупроводници само в Япония бъдат заменени с такива от силициев карбид, спестената енергия ще бъде равна на тази от 4 ядрени централи.
През последните години ROHM работи интензивно върху разработката на SiC продукти и през 2010 г. стана първия доставчик в света, който успешно стартира масово производство на SiC SBD и MOSFET продукти.